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三星擴產NAND Flash 研調估恐過剩

中央社

2017-11-15 12:30:33

中央社 財經 / NOWnews

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(中央社記者張建中新竹15日電)三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元,其中,又將以3D NANDFlash為最大宗,研調機構IC Insights認為,3D NANDFlash恐將供過於求。

IC Insights預估,今年全球半導體資本支出金額將達908億美元,將成長35%;其中,三星今年資本支出將倍增至260億美元,比英特爾(Intel)與台積電的總和還多。

三星今年的資本支出主要投入3D儲存型快閃記憶體(NAND Flash),將達140億美元,IC Insights指出,三星將斥資70億美元,推進動態隨機存取記憶體(DRAM)製程技術,並彌補因製程轉換造成的產能損失。

在晶圓代工方面,IC Insights表示,三星將投入50億美元擴增10奈米製程產能。

除三星投入鉅額資本支出,SK海力士(Hynix)與美光(Micron)等三星競爭對手資本支出也將顯著增加,IC Insights認為,這恐將引發3D NAND Flash市場供過於求。1061115

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